AORUS NVMe Gen4 SSD

全球首款PCIe 4.0x4控制晶片，Phison PS5016-E16控制晶片，採用28nm製造技術製造。先進的製造工藝確保PS5016-E16搭配最新的3D TLC NAND快閃記憶體時具有足夠的ECC容錯處理能力。PS5016-E16還具有8個NAND通道及32個CE targets，並可支援DDR4 DRAM快取和PCIe 4.0 x4介面。而在其他功能部分，這顆全新控制器支援NVMe 1.3協議、LDPC糾錯、損耗平均技術及超額配置技術，以提高固態硬碟的可靠性和耐用性。

PCIe 4.0x4，NVMe 1.3介面
DDR4 DRAM快取
8通道,32 組CE
Phison第四代LDPC和RAID ECC技術
支援 Pyrite
控制晶片配置散熱片

TOSHIBA BiCS4 96層3D TLC(800MT/s)

TOSHIBA BiCS4 NAND快閃記憶體顆粒透過增加層數至96層，來進行電路和架構最佳化，進而達到每單位面積更高的儲存空間。 AORUS NVMe Gen4 SSD固態硬碟的800MT / s吞吐量遠遠超過PCIe 3.0 x4設備，具有出色的儲存效能。

AORUS NVMe Gen4 SSD固態硬碟

一般固態硬碟

傳輸率

800 MT/s

400~533 MT/s

憑藉新的PCIe 4.0介面控制晶片，AORUS NVMe Gen4 SSD固態硬碟可提供高達 5000 MB/秒的循序讀取速度和高達2500 MB/秒的循序寫入速度。PCIe 4.0 固態硬碟的順序讀取性能比PCIe 3.0 固態硬碟快40％。可提供更快、更順暢的遊戲串流和圖形密集渲染體驗，讓玩家為下一代的電腦運算做好準備。

循序讀取速度

AORUS NVMe Gen4 SSD固態硬碟

一般PCIe 3.0 固態硬碟

效能(MB/s)

5000

3500

全包覆式純銅散熱片同時為配置在固態硬碟正反面的控制晶片和NAND記憶顆粒等關鍵組件的進行散熱。與鋁製散熱器相比，純銅散熱片具有傳熱能力提高69％，讓AORUS NVMe Gen4 SSD固態硬碟獲得最佳的讀/寫散熱性能。

導熱係數

純銅(CU)

純鋁(AL)

401W/mK

237W/mK

相較於一般小型M.2散熱片，AORUS NVMe Gen4 SSD固態硬碟採用的新型高效純銅散熱片，搭配正面的27到剖溝，大幅增加了散熱表面積，讓固態硬碟在高速運作下產生的廢熱可以有效傳輸到散熱片，進而更快地獲得更好的熱平衡。此外，最佳化的剖溝角度設計，讓散熱片可以與不同方向的系統風流方向進行大量且快速的熱交換。這兩種獨特的設計確保了PCIe 4.0 固態硬碟的關鍵零件能夠在超高傳輸速率下保持最佳的工作溫度。

為什麼將固態硬碟保持在較低的溫度這麼重要?

過高的工作溫度可能導致資料遺失或損壞。而高溫運作下的固態硬碟，資料遺失或寫入錯誤的情況，可能比低溫運作的固態硬碟高出一百倍。
透過全包覆式全銅熱片片，AORUS NVMe Gen4 SSD固態硬碟可在較低的工作溫度下運作，以提高資料儲存的可靠性。同時讓固態硬碟在長時間高效能運作，避免過熱而降速的情況。

全包覆式純銅散熱片

一般散熱片

△T ℃ (越低越好)

*檢測結果為實驗室測試數據，實際效能會依產品不同而有所差異。

降低16%

全新的SSD Toolbox應用程式，可以讓使用者監控和管理包括型號、韌體版本、運作狀況等技嘉固態硬碟的各項數據，讓玩家可以隨時掌握固態硬碟的使用狀態及相關安全係數或使用安全抹除功能清除所有資料。您可以從支持頁面下載SSD Tool Box使用。

容量*	型號	持續讀取 MB/s**(最高達)	持續寫入 MB/s**(最高達)	隨機讀取 IOPS**(最高達)	隨機寫入 IOPS**(最高達)
500GB	AORUS NVMe Gen4 SSD 500GB ( GP-ASM2NE6500GTTD )	5000 MB/s	2500 MB/s	400k	550k
1000GB	AORUS NVMe Gen4 SSD 1TB ( GP-ASM2NE6100TTTD )	5000 MB/s	4400 MB/s	750k	700k
2000GB	AORUS NVMe Gen4 SSD 2TB ( GP-ASM2NE6200TTTD )	5000 MB/s	4400 MB/s	750k	700k

*1GB = 10億bytes, 實際容量會依規格及使用狀況而有所差異。
**讀寫速度為實驗室測試數據，實際效能會依產品不同而有所差異。